大疆校招笔试题

一、 硬件类

1、（单选题）BUCK 电路中，输入电压为 18V，输出电压为 9V, 则续流二极管的反向耐压值选取多少最合适：

A.9V

B.18V

C.30V

D.100V

2、在如下图所示的电路中，12V 是电源输入，CL 和 RL 为等效负载。当 12V 电源首次上电缓启动电路中 MOSFET 开启过程中，主要利用 MOSFET 哪个工作区的特性限制冲击电流？

A.截止区

B.饱和区

C.线性区

D.击穿区

3、 SPI 通信根据极性 CPOL 和相位 CPHA 共有多少种工作模式（ ）

A. 1

B. 2

C. 3

D. 4

4、以下哪个不是电磁干扰的三要素之一（ ）

A. 辐射源

B. 敏感设备

C. 耦合路径

D. 传导干扰

5、关于 MOSFET，下列描述错误的是（ ）

A. MOSFET 为场效应管；

B. MOSFET 的栅极驱动须串联电阻以避免振荡

C. MOSFET 的工作区包括可变电阻区、饱和区、截止区

D. MOSFET 的导通电阻不随驱动电压的变化而变化

6、（多选题）以下对于电容的说法正确的是（ ）

A. 钽电容击穿表现为短路

B. 电容的阻抗-频率曲线在谐振点左侧的曲线取决于电容分量，右侧取决于 ESL

C. 芯片供电引脚通常采用大小容值的电容并联，是为了提供不同频段的去耦效果

D. 铝电解电容容量大，耐压高，但压电效应明显，随着电压增加其容值跌幅较大

7、（填空题）信号完整性中，对于 1V 的阶跃信号，若终端负载的电阻大于传输线的特性阻抗，则信号到达终端负载的瞬间其电压（）1V。(> ，< ，=)

二、 芯片类

8、（单选题）下列会直接影响到芯片工作频率的一个违例是：

A、建立时间违例

B、保持时间违例

C、最大转换时间违例

D、最大扇出违例

9、（单选题）FC(Flip Chip)倒装封装芯片在长 bump 时，关键工艺是沉积 bump 下面的底座 UBM（Under Bump metallization），请问 UBM 的作用不包括：

A、提供互连的键合层

B、提供原子扩散阻挡层

C、为下层介电材料和金属提供粘接层

D、改善信号 SI 性能

10、（简单题）放大器可根据其结构不同实现产生或检测电压/电流信号的四种功能，请写出这四种结构电路的要求的输入或输出阻抗特性。